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薄膜電阻率、片電導率和體電導率
Filmetrics R54-系列
● 自動化測量
● 金屬膜和背面工藝層厚度測量
● 襯底電阻率、片電阻等電性能測試
● 可選配接觸式四點探頭和非接觸式渦流探頭
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系統優勢
·密閉系統有助于測量光靈敏或環境敏感樣品
·可容納最大直徑為300毫米的樣品
·可配置四探針(4PP)或非接觸式渦流(EC)模式
·15毫米的最大樣品高度
·方塊電阻測量范圍覆蓋十個量級
·可以使用矩形、線性、極坐標和自定義配置等采樣點排列方式進行測繪
·第高精度X-Y樣品臺
·業內較小的渦流測量尺寸
·易于使用的軟件界面
·兼容所有KLA方塊電阻探針
R54四探針和渦流測量方法
四探針(4PP)和渦流(EC)是測量方塊電阻的兩種常用技術。R54在接觸式四探針方法上覆蓋了10個電阻量級范圍,并配置了高分辨率和高靈敏度的非接觸式渦流方法,延續了KLA的創新歷史和優勢地位。
四探針概述
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四探針提供了一種簡單而直接的電阻測量方法。在所測導電層與襯底之間有一個非導電阻擋層時,由四個導電引腳組成的探針在受控的力的作用下接觸導電層表面。標準引腳配置在兩個外側引腳上施加電流,并測量兩個內側引腳上的電壓。為測量方塊電阻,導電層厚度應小于探針引腳間距的1/2。KLA開創了R54雙配置技術,可交替測量不同引腳上的電壓,對邊緣效應應用動態校正并糾正引腳間距誤差。KLA為導電薄膜或離子注入層提供多種的探針配置,以優化表面材料特性的測量。 |
渦流概述
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渦流是一種非接觸式的導電薄膜的方塊電阻測量技術。在線圈中施加變化的電流以產生變化的磁場。當線圈靠近導電表面時,變化的磁場會在導電表面中感應變化的(渦流)電流。這些渦流反過來產生自己的變化的磁場,該磁場與探針線圈藕合,產生與樣品的方塊電阻成正比的信號變化。KLA獨特的渦流解決方案使用單側(上部)探針,在每個測量點動態調整探針到樣品的高度,這對于測量的準確度和再現性至關重要。渦流方法不受表面氧化的影響,同時也是不太適合四探針接觸式方法的較軟樣品的理想選擇。 |
四探針與渦流方法之間的關系
KLA四探針和渦流解決方案在各自的常用范圍內都表現出良好的相關性。Filmetrics R54使用KLA先進的校準方法,
來確保四探針和渦流技術的測量精度。
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市場分類和應用
汽車
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半導體
電路板
平板顯示器
學術研究
晶圓加工
·金屬化層
·晶圓摻雜變化
·襯底表征
·離子注入變化分布
·激光退火表征技術
技術
·金屬沉積
·柔性襯底表征
·薄膜電導率
·分布圖
研發及其他應用
·金屬薄膜
·柔性薄膜電阻率
·可穿戴設備
·過濾網
·可充電電池
·多層薄膜表征
Filmetrics? R50-系列
● 薄膜 襯底電阻率 片電阻測試
● 金屬膜和背面工藝層厚度測量
● 襯底電阻率、片電阻等電性能測試
(可選配接觸式四點探頭和非接觸式渦流探頭)
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